个人简介
窦保英（1996-），河南新乡人。2018年6月毕业于东北师范大学物理学院，获得学士学位。2023年6月毕业于中国工程物理研究院北京计算科学研究中心，获得理学博士学位（导师：魏苏淮教授）。2022年在马普钢铁研究所公派留学一年（导师：Christoph Freysoldt和Jörg Neugebauer教授）。2023年12月加入澳门新莆京游戏app/光伏材料省重点实验室，担任长聘助理教授，从事半导体缺陷计算。
工作经历
2023.12-至今 澳门新莆京游戏app/光伏材料省重点实验室 长聘助理教授
研究领域
半导体缺陷和掺杂特性的第一性原理计算
缺陷的热力学和动力学研究
光伏材料中的非辐射复合过程
代表论文
1. B. Dou, Q. Sun*, and S.-H. Wei*, Optimization of doping CdTe with group-V elements: A first-principles study, Phys. Rev. Appl. 15, 054045 (2021).
2. B. Dou, Q. Sun, and S.-H. Wei*, Effects of co-doping in semiconductors: CdTe, Phys. Rev. B 104, 245202 (2021).
3. B. Dou, S. Falletta, J. Neugebauer, C. Freysoldt*, X. Zhang*, and S.-H. Wei*, Nonradiative recombination in Cu(In,Ga)Se2 alloys, Phys. Rev. Appl. 19, 054054 (2023). [Editors' Suggestion]
4. R. Wang, B. Dou, Y. Zheng, and S.-H. Wei*, Investigation of Ag(Ga,In)Se2 as thin-film solar cell absorbers: A first- principles study, Sci. China Phys. Mech. Astron. 65, 107311 (2022).
5. I. Chatratin*, B. Dou, S.-H. Wei, and A. Janotti*, Doping limits of phosphorus, arsenic, and antimony in CdTe, J. Phys. Chem. Lett. 14, 273 (2023).
6. T. Shen, K. Yang, B. Dou, S.-H. Wei, Y. Liu, and H.-X. Deng*, Clarification of the relative magnitude of exciton binding energies in ZnO and SnO2, Appl. Phys. Lett. 120, 042105 (2022).
7. S. W. Fan*, L. Yang, Y. Chen, and B. Dou, The origin of the p-type conductivity for Cu and Ag-doped NiO: Density functional theory study, Mater. Today Commun. 33, 104552 (2022).
8. Y. Song*, G. Zhang, X. Cai, B. Dou, S.-H. Wei*, et al., General model for defect dynamics in ionizing-irradiated SiO2-Si structures, Small 18, 2107516 (2022).
9. A. Nagaoka*, K. Kimura, A. K. R. Ang, Y. Takabayashi, K. Yoshino, Q. Sun, B. Dou, S.-H. Wei, et al., Direct observation of group-V dopant substitutional defects in CdTe single crystals, J. Am. Chem. Soc. 145, 9191 (2023).
