个人简介
刘成延(1988.11)，河南信阳人。2011年毕业于郑州大学，获得学士学位。2014年获得郑州大学理论物理硕士学位，2017年在复旦大学获得理论物理博士学位，随后在美国加州大学欧文分校天文物理系从事凝聚态计算物理博士后研究。2020年入职澳门新莆京游戏app，担任黄河学者（特聘教授）从事多元半导体合金缺陷、晶界和界面的理论研究。
学术成果
刘成延博士对多元半导体光伏材料的理论研究有着丰富经验，研究经历主要在碲化镉、铜铟镓硒、铜锌锡硫等硫族化合物半导体、钙钛矿半导体和尖晶石半导体材料的晶界、界面和缺陷等多元半导体光伏材料体系，善于研究光伏材料的界面、晶界和缺陷引起的缺陷态及提出其钝化方案。其关于铜铟硒和铜锌硒硫相关体系以及宽带隙碳化硅等的晶界缺陷态和晶界声子振动研究方面取得了开创性成果：
(1) 提出了多元半导体合金晶界的自钝化规则，使得传统的晶格重位点阵方法构造的晶界模型需要考虑晶界的自钝化效应。
(2) 将晶界自钝化规则推广到外部元素掺杂钝化多元半导体合金的晶界中，如解释了Na在硫族化合物半导体晶界中的钝化作用。
(3) 首次从理论上给出了半导体晶界的电子能量损失谱，搭建了晶界处声子谱的理论计算与实验测量的桥梁。
(4) 提出了点缺陷深能级的钝化规则，为半导体中点缺陷引起的深能级钝化难的问题提供了新思路。
科研项目
1. 太阳能电池Cu2ZnSn(SSe)4/CdS界面过渡层结构模拟及缺陷态消除研究(12274114) ，国家自然科学基金面上项目，2023.01-2026.12，55万元，主持人。
2. 掺杂实现Cu2ZnSn(SSe)4吸收层表层稳定弱n型特性的第一性原理研究(12004100)，国家自然科学基金青年项目，2021.01-2023.12，24万元，主持人。
代表论文
1. Xingxu Yan,Chengyan Liu, Chaitanya A. Gadre, Lei Gu, Toshihiro Aoki, Tracy C. Lovejoy, Niklas Dellby, Ondrej L. Krivanek, Darrell G. Schlom, Ruqian Wu, Xiaoqing Pan, Single-defect phonons imaged by electron microscopy, Nature 589, 65, (2021).
2. Chengyan Liu, Zhiming Li, Hongyang Gu, Shiyou Chen, Hongjun Xiang, Xingao Gong, Sodium passivation of the grain boundaries in CuInSe2 and Cu2ZnSnS4 for high-efficiency solar cells, Adv. Energy Mater. 1601457, (2017).
3. Xingxu Yan#,Chengyan Liu#, Chaitanya A. Gadre, Sheng Dai, Lei Gu, Kehang Yu, Toshihiro Aoki, Ruqian Wu, Xiaoqing Pan, Unexpected strong thermally induced phonon energy shift for mapping local temperature, Nano Lett. 19, 7494, (2019).
4. Chengyan Liu, Yueyu Zhang, Yusheng Hou, Shiyou Chen, Hongjun Xiang, Xingao Gong, Self-passivation rule and structure of CdTeΣ3 (112) grain boundaries, Phys. Rev. B 93, 205426, (2016).
5. Ke Zhao, Huiwen Xiang, Yingru Cui, Rui Zhu,Chengyan Liu*, Yu Jia*, Possible route to overcoming Voc-deficit of kesterite solar cells, Appl. Phys. Lett. 118, 252106, (2021).
6. Hanzhen Liang, Huiwen Xiang, Rui Zhu,Chengyan Liu*, Yu Jia, The structural stability and defect-tolerance of ionic spinel semiconductors for high-efficiency solar cells, J. Mater. Chem. A 9, 14566, (2021).
7. Ke Zhao, Huiwen Xiang, Rui Zhu,Chengyan Liu*, Yu Jia, Passivation principle of deep-level defects: a study of SnZn defects in kesterites for high-efficient solar cells, J. Mater. Chem. A 10, 2849, (2022).
8. Yingru Cui, Ke Zhao, Chengyan Liu*, Huiwen Xiang, Hanzhen Liang, Yu Jia*, Band edge engineering for the improvement of open-circuit voltage: Ag-based selenized Cu2ZnSn(SSe)4 surface regulated by lithium, Sol. RRL 2000631, (2021).
招生信息
刘成延理论计算课题组围绕多元半导体合金光伏材料开展理论研究工作：
1）硫族化合物半导体晶界、界面和点缺陷性质的理论研究；
2）钙钛矿光伏材料结构稳定性和光伏效率的理论研究；
3）太阳能电池材料中载流子非绝热分子动力学研究；
4）机器学习构造经典分子动力学势函数的研究。
