王科范教授

K.F. Wang, Ph.D.

凝聚态物理

kfwang@henu.edu.cn

个人简介

王科范,博士,教授,在Applied Physics Letters, Solar Energy Materials and Solar CellsApplied Surface Science等国际期刊发表论文多篇已授权国家发明专利5项,获美国真空学会(AVS)2007年度“Shop Note Awards”

 

教育及工作经历

20017月毕业于济南大学化学与化工学院,高分子材料科学与工程专业,获工学学士学位;

20069月毕业于中国科学与技术大学,同步辐射及应用专业,获得工学博士学位,研究方向为超高真空制备Ge/Si自组装量子点及同步辐射结构表征。

2006.09-2010.05,澳门新莆京游戏app物理与电子学院,讲师;

2010.05-2017.12,澳门新莆京游戏app物理与电子学院,副教授;

2009.10-2012.06 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,材料科学与工程专业,博士后,研究方向为InAs/GaAs量子点中间带太阳电池和黑硅太阳电池;

2015.06-2017.06 香港中文大学物理系Visiting Scholar  Research Fellow,研究方向为共蒸发法制备铜铟镓硒太阳电池;

2018.01-至今,澳门新莆京游戏app物理与电子学院和光伏材料省重点实验室,教授。

 

主要研究方向

黑硅材料及器件,硅基太阳电池,同步辐射及应用,第一性原理材料模拟。

 

主持重要研究项目

国家自然科学基金青年基金(28万):基于同步辐射的黑硅红外增强吸收机理研究,批准号61204002

中国博士后科学基金(3万):高效率InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的研制及相关机制研究,批准号20100470528

 

代表性论文和著作

1. Xiao Nairui, Tang Yehua, Qiu Yali, Liu Duoduo, Wang Ke-Fan*, One-step solution synthesis and stability study of inorganic perovskite semiconductor Cs2SnI6, Solar Energy, 204, 429-439(2020).

2. Li-Ying Zhang, Yong Zhang, Wei-Bao Guan, Ke-Fan Wang*, Zhen-Xiang Cheng*, and Yuan-Xu Wang*, Large enhanced conversion efficiency of perovskite solar cells by CsBr doping, J Mater Sci 52, 13203-13211(2017).

3. Ke-Fan Wang, Pingan Liu, Shengchun Qu, Yuanxu Wang, Zhanguo Wang, Optical and electrical properties of textured sulfur-hyperdoped silicon: a thermal annealing study, J Mater Sci, 50, 3391-3398(2015).

4. Ke-Fan Wang, Hezhu Shao, Kong Liu, Shengchun Qu, Yuanxu Wang, Zhanguo Wang, Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen-hyperdoped silicon, Appl. Phys. Lett. 107, 112106 (2015).

5. Ke-Fan Wang, Shengchun Qu, Dewei Liu, Kong Liu, Jian Wang, Li Zhao, Hongliang Zhu, Zhanguo Wang, Large enhancement of sub-band-gap light absorption of sulfur hyperdoped silicon by surface dome structures, Materials Letters, 2013, 107, 50-52.

 

国家发明专利

1. 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法,公开号:CN104409553B.

2. 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制备方法,公开号:CN103762255B.

3. 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法,公开号:CN103268852B.

4. 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法,公开号:CN102938435B.

5. 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法,公开号:CN101908581B.

 

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