联系人及邮箱：王科范 kfwang@henu.edu.cn
放置地点：B座216房间；
设备简介：型号：Angstrom-Dep V；生产厂家：美国埃米薄膜技术公司；
仪器主要用途：
设备可在晶圆表面或纳米颗粒表面沉积共形的氧化物、氮化物和硫化物等薄膜和金属薄膜，并可对薄膜厚度在原子层量级进行精确控制。
主要规格及技术指标：
1.晶片样品台尺寸：直径可达4英寸；
2.基底可加热至520 ℃，腔壁可加热至150 ℃；
3.等离子ALD附件：远程脉冲等离子源1套, 无需水冷，功率可到300瓦，用来在晶片样品上生长金属、氮化物和硫化物薄膜；
4.粉末ALD处理腔体容积可达250 mL，处理温度可达350 ℃；
5.配备八路前驱体源，分别为六路固液前驱体加热源和两路气态前驱体源，配备前驱体加热器3套。
